打印页面
DMHC4035LSD-13
双路场效应管, MOSFET, 补充双N和双P沟道, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.026 ohm
1,990 有货
需要更多？
1990 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY7.940 (CNY8.9722) |
| 10+ | CNY5.400 (CNY6.102) |
| 100+ | CNY4.100 (CNY4.633) |
| 500+ | CNY3.470 (CNY3.9211) |
| 1000+ | CNY3.290 (CNY3.7177) |
| 5000+ | CNY3.110 (CNY3.5143) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY7.94 (CNY8.97 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMHC4035LSD-13
库存编号3944080
技术数据表
通道类型补充双N和双P沟道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道4.5A
连续漏极电流 Id P沟道4.5A
漏源通态电阻N沟道0.026ohm
漏源导通电阻P沟道0.026ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.5W
耗散功率P沟道1.5W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
补充双N和双P沟道
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id P沟道
4.5A
漏源导通电阻P沟道
0.026ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.5W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
4.5A
漏源通态电阻N沟道
0.026ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001