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DMHC4035LSDQ-13
双路场效应管, MOSFET, 补充双N和双P沟道, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.026 ohm
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMHC4035LSDQ-13
库存编号3944081
技术数据表
通道类型补充双N和双P沟道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道4.5A
连续漏极电流 Id P沟道4.5A
漏源通态电阻N沟道0.026ohm
漏源导通电阻P沟道0.026ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.5W
耗散功率P沟道1.5W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
DMHC4035LSDQ-13 is a 40V complementary enhancement mode MOSFET H-bridge features 2 N and 2 P channels in an SO-8 package. Qualified to AEC-Q101 the H bridge is ideally suited to driving solenoids, DC motors and audio outputs.
- Drain-source voltage is 40V, gate-source voltage is ±20V
- Pulsed drain current is 25A
- Low on-resistance
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
- PPAP capable
- Total power dissipation is 5W
技术规格
通道类型
补充双N和双P沟道
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id P沟道
4.5A
漏源导通电阻P沟道
0.026ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.5W
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
4.5A
漏源通态电阻N沟道
0.026ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001