打印页面
DMN1001UCA10-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 12 V, 12 V, 20 A, 20 A, 0.00319 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN1001UCA10-7
库存编号3405233RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道12V
漏源电压, Vds12V
电流, Id 连续20A
漏源电压Vds P沟道12V
连续漏极电流 Id N沟道20A
在电阻RDS（上）0.00319ohm
连续漏极电流 Id P沟道20A
漏源通态电阻N沟道0.00319ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.00319ohm
晶体管封装类型X2-TSN1820
阈值栅源电压最大值1.4V
功耗 Pd1W
针脚数10引脚
耗散功率N沟道1W
耗散功率P沟道1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
12V
电流, Id 连续
20A
连续漏极电流 Id N沟道
20A
连续漏极电流 Id P沟道
20A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.00319ohm
阈值栅源电压最大值
1.4V
针脚数
10引脚
耗散功率P沟道
1W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
12V
漏源电压Vds P沟道
12V
在电阻RDS（上）
0.00319ohm
漏源通态电阻N沟道
0.00319ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
X2-TSN1820
功耗 Pd
1W
耗散功率N沟道
1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002