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DMN10H6D2LFDB-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 V, 270 mA, 270 mA, 3.4 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY1.170 (CNY1.3221) |
| 100+ | CNY0.810 (CNY0.9153) |
| 500+ | CNY0.645 (CNY0.7288) |
| 1000+ | CNY0.535 (CNY0.6046) |
| 5000+ | CNY0.492 (CNY0.556) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN10H6D2LFDB-7
库存编号3828401
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压Vds P沟道100V
连续漏极电流 Id N沟道270mA
连续漏极电流 Id P沟道270mA
漏源通态电阻N沟道3.4ohm
漏源导通电阻P沟道3.4ohm
晶体管封装类型U-DFN2020
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1W
耗散功率P沟道1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id P沟道
270mA
漏源导通电阻P沟道
3.4ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
270mA
漏源通态电阻N沟道
3.4ohm
晶体管封装类型
U-DFN2020
耗散功率N沟道
1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001