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DMN1250UFEL-7
双路场效应管, MOSFET, 三N沟道, 12 V, 12 V, 2 A, 2 A, 0.45 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY6.470 (CNY7.3111) |
| 100+ | CNY4.300 (CNY4.859) |
| 500+ | CNY3.400 (CNY3.842) |
| 1000+ | CNY2.980 (CNY3.3674) |
| 5000+ | CNY2.570 (CNY2.9041) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN1250UFEL-7
库存编号3944087
技术数据表
通道类型三N沟道
漏源电压Vds N沟道12V
漏源电压Vds P沟道12V
连续漏极电流 Id N沟道2A
连续漏极电流 Id P沟道2A
漏源通态电阻N沟道0.45ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型U-QFN1515
针脚数12引脚
耗散功率N沟道1.25W
耗散功率P沟道1.25W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
三N沟道
漏源电压Vds P沟道
12V
连续漏极电流 Id P沟道
2A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
12引脚
耗散功率P沟道
1.25W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压Vds N沟道
12V
连续漏极电流 Id N沟道
2A
漏源通态电阻N沟道
0.45ohm
晶体管封装类型
U-QFN1515
耗散功率N沟道
1.25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001