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DMN2019UTS-13
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.0185 ohm
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| 10+ | CNY3.150 (CNY3.5595) |
| 100+ | CNY2.060 (CNY2.3278) |
| 500+ | CNY1.590 (CNY1.7967) |
| 1000+ | CNY1.220 (CNY1.3786) |
| 5000+ | CNY1.090 (CNY1.2317) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN2019UTS-13
库存编号3944092
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道5.4A
连续漏极电流 Id P沟道5.4A
漏源通态电阻N沟道0.0185ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型TSSOP
针脚数8引脚
耗散功率N沟道780mW
耗散功率P沟道780mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
5.4A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
780mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
5.4A
漏源通态电阻N沟道
0.0185ohm
晶体管封装类型
TSSOP
耗散功率N沟道
780mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001