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DMN2025UFDB-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.025 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.500 (CNY6.215) |
| 10+ | CNY2.850 (CNY3.2205) |
| 100+ | CNY2.550 (CNY2.8815) |
| 500+ | CNY2.420 (CNY2.7346) |
| 1000+ | CNY1.110 (CNY1.2543) |
| 5000+ | CNY0.960 (CNY1.0848) |
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最低: 5
多件: 5
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN2025UFDB-7
库存编号3680124
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道6A
连续漏极电流 Id P沟道6A
漏源通态电阻N沟道0.025ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型U-DFN2020
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.4W
耗散功率P沟道1.4W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
6A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.4W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
6A
漏源通态电阻N沟道
0.025ohm
晶体管封装类型
U-DFN2020
耗散功率N沟道
1.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000121