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DMN2040LTS-13
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.019 ohm
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| 100+ | CNY2.210 (CNY2.4973) |
| 500+ | CNY1.690 (CNY1.9097) |
| 1000+ | CNY1.200 (CNY1.356) |
| 5000+ | CNY1.150 (CNY1.2995) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN2040LTS-13
库存编号3944095
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道6.7A
连续漏极电流 Id P沟道6.7A
漏源通态电阻N沟道0.019ohm
漏源导通电阻P沟道0.019ohm
晶体管封装类型TSSOP
针脚数8引脚
耗散功率N沟道890mW
耗散功率P沟道890mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
6.7A
漏源导通电阻P沟道
0.019ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
890mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
6.7A
漏源通态电阻N沟道
0.019ohm
晶体管封装类型
TSSOP
耗散功率N沟道
890mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001