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DMN2250UFB-7B
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 1.35 A, 0.17 ohm, X1-DFN1006, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY1.370 (CNY1.5481) |
| 100+ | CNY0.730 (CNY0.8249) |
| 500+ | CNY0.633 (CNY0.7153) |
| 1000+ | CNY0.581 (CNY0.6565) |
| 5000+ | CNY0.566 (CNY0.6396) |
包装规格：单件（切割供应）
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN2250UFB-7B
库存编号3943555
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续1.35A
漏源接通状态电阻0.17ohm
晶体管封装类型X1-DFN1006
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散500mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.35A
晶体管封装类型
X1-DFN1006
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.17ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001