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DMN2310UFD-7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 1.9 A, 0.15 ohm, U-DFN1212, 表面安装
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|---|---|
| 5+ | CNY1.930 (CNY2.1809) |
| 100+ | CNY1.100 (CNY1.243) |
| 1000+ | CNY0.610 (CNY0.6893) |
| 3000+ | CNY0.479 (CNY0.5413) |
| 9000+ | CNY0.438 (CNY0.4949) |
| 24000+ | CNY0.413 (CNY0.4667) |
| 45000+ | CNY0.368 (CNY0.4158) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN2310UFD-7
库存编号3828406
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续1.9A
漏源接通状态电阻0.15ohm
晶体管封装类型U-DFN1212
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值950mV
功率耗散1.1W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.9A
晶体管封装类型
U-DFN1212
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
1.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.15ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
950mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001