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DMN2400UV-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 1.33 A, 1.33 A, 0.48 ohm
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| 100+ | CNY1.450 (CNY1.6385) |
| 500+ | CNY1.090 (CNY1.2317) |
| 1000+ | CNY0.641 (CNY0.7243) |
| 5000+ | CNY0.634 (CNY0.7164) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN2400UV-7
库存编号2543515
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道1.33A
连续漏极电流 Id P沟道1.33A
漏源通态电阻N沟道0.48ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOT-563
针脚数6引脚
耗散功率N沟道530mW
耗散功率P沟道530mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
1.33A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
530mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
1.33A
漏源通态电阻N沟道
0.48ohm
晶体管封装类型
SOT-563
耗散功率N沟道
530mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005