DMN24H3D5L-7

DMN24H3D5L-7 是一款 N 沟道增强型 MOSFET。这种新一代 MOSFET 设计用于最大限度地减小导通电阻 (RDS(ON))，并保持出色的开关性能，是高效电源管理应用的理想之选。典型应用包括直流-直流转换器、电源管理功能、电池供电系统和固态继电器、驱动器：继电器、电磁阀、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等。

• 低栅极阈值电压、低输入电容
• 开关速度快，小型表面贴装封装
• 在TA = +25°C 时，漏极至源极电压为 240V
• 在TA = +25°C 时，栅极至源极电压为 ±20V
• 在TA = +25°C、VGS = 10V、稳态时，漏极连续电流为 0.48A
• 在TA = +25°C 时，脉冲漏极电流（10µs 脉冲，占空比 = 1%）为 1.9A
• 在TA = +25°C 时，总功率耗散为 0.76W
• 在TA = +25°C 时，本体二极管的最大连续电流为 1.5A
• SOT23 外壳
• 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C

警告

市场对该产品的需求导致交货期延长。交货日期可能会有波动。产品不享受折扣。