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DMN3018SSD-13
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.016 ohm
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| 5000+ | CNY1.360 (CNY1.5368) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN3018SSD-13
库存编号3944102RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续6.7A
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道6.7A
在电阻RDS（上）0.016ohm
连续漏极电流 Id P沟道6.7A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.016ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.016ohm
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值1.7V
针脚数8引脚
功耗 Pd1.5W
耗散功率N沟道1.5W
耗散功率P沟道1.5W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
电流, Id 连续
6.7A
连续漏极电流 Id N沟道
6.7A
连续漏极电流 Id P沟道
6.7A
漏源通态电阻N沟道
0.016ohm
漏源导通电阻P沟道
0.016ohm
阈值栅源电压最大值
1.7V
功耗 Pd
1.5W
耗散功率P沟道
1.5W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.016ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001