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DMN3023L-7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 6.2 A, 0.025 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 1500+ | CNY0.931 (CNY1.052) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN3023L-7
库存编号3127331RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续6.2A
漏源接通状态电阻0.025ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.8V
功率耗散900mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
DMN3023L-7 是一款 N 沟道增强型 MOSFET。这种新一代 MOSFET 设计用于最大限度地减小导通电阻 (RDS(ON))，并保持出色的开关性能，是高效电源管理应用的理想之选。典型应用包括负载开关、DC-DC 转换器和电源管理功能。
- 低导通电阻、低栅极阈值电压
- 输入电容小，开关速度快
- 低输入/输出漏电，ESD 保护栅极
- 在TA = +25°C 时，漏极至源极电压为 30V
- 在TA = +25°C 时，栅极至源极电压为 ±20V
- 在TA = +25°C 时，连续漏极电流为 6.2A，稳态，VGS = 10V
- 在TA = +25°C 时，脉冲漏极电流（380µs 脉冲，占空比 = 1%）为 44A
- 在TA = +25°C 时，总功率耗散为 0.9W
- SOT23 外壳
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
6.2A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
900mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.025ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.8V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536