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DMN3032LFDBWQ-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.024 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN3032LFDBWQ-7
库存编号3405240RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续5.5A
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道5.5A
在电阻RDS（上）0.024ohm
连续漏极电流 Id P沟道5.5A
漏源通态电阻N沟道0.024ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.024ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
晶体管封装类型UDFN2020
功耗 Pd820mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道820mW
耗散功率P沟道820mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
30V
电流, Id 连续
5.5A
连续漏极电流 Id N沟道
5.5A
连续漏极电流 Id P沟道
5.5A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
UDFN2020
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
820mW
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.024ohm
漏源通态电阻N沟道
0.024ohm
漏源导通电阻P沟道
0.024ohm
阈值栅源电压最大值
2V
功耗 Pd
820mW
耗散功率N沟道
820mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002