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DMN3035LWN-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.035 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY3.700 (CNY4.181) |
| 100+ | CNY2.430 (CNY2.7459) |
| 500+ | CNY1.880 (CNY2.1244) |
| 1000+ | CNY1.550 (CNY1.7515) |
| 5000+ | CNY1.310 (CNY1.4803) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN3035LWN-7
库存编号3944106
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道5.5A
连续漏极电流 Id P沟道5.5A
漏源通态电阻N沟道0.035ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型V-DFN3020
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.78W
耗散功率P沟道1.78W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
5.5A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.78W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
5.5A
漏源通态电阻N沟道
0.035ohm
晶体管封装类型
V-DFN3020
耗散功率N沟道
1.78W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001