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DMN31D5UFO-7B
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, X2-DFN0604, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.120 (CNY2.3956) |
| 10+ | CNY0.875 (CNY0.9888) |
| 100+ | CNY0.650 (CNY0.7345) |
| 500+ | CNY0.510 (CNY0.5763) |
| 1000+ | CNY0.372 (CNY0.4204) |
| 5000+ | CNY0.364 (CNY0.4113) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN31D5UFO-7B
库存编号3589336
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续410mA
漏源接通状态电阻1.2ohm
晶体管封装类型X2-DFN0604
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散380mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
410mA
晶体管封装类型
X2-DFN0604
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
380mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
1.2ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000121