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DMN32D2LDF-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 50+ | CNY1.600 (CNY1.808) |
| 100+ | CNY1.250 (CNY1.4125) |
| 500+ | CNY0.743 (CNY0.8396) |
| 1500+ | CNY0.730 (CNY0.8249) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN32D2LDF-7
库存编号3577047
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道400mA
连续漏极电流 Id P沟道400mA
漏源通态电阻N沟道1.2ohm
漏源导通电阻P沟道1.2ohm
晶体管封装类型SOT-353
针脚数5引脚
耗散功率N沟道280mW
耗散功率P沟道280mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
400mA
漏源导通电阻P沟道
1.2ohm
针脚数
5引脚
耗散功率P沟道
280mW
产品范围
-
MSL
-
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
400mA
漏源通态电阻N沟道
1.2ohm
晶体管封装类型
SOT-353
耗散功率N沟道
280mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002