打印页面
DMN32D2LDF-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohm
包装选项
3,590 有货
需要更多？
3590 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY1.210 (CNY1.3673) |
| 500+ | CNY0.763 (CNY0.8622) |
| 1500+ | CNY0.749 (CNY0.8464) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 100
多件: 5
CNY121.00 (CNY136.73 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN32D2LDF-7
库存编号3577047RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds P沟道30V
电流, Id 连续400mA
在电阻RDS（上）1.2ohm
连续漏极电流 Id N沟道400mA
连续漏极电流 Id P沟道400mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道1.2ohm
漏源导通电阻P沟道1.2ohm
Rds(on)测试电压4V
阈值栅源电压最大值1.2V
晶体管封装类型SOT-353
功耗 Pd280mW
针脚数5引脚
耗散功率N沟道280mW
耗散功率P沟道280mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
1.2ohm
连续漏极电流 Id P沟道
400mA
漏源通态电阻N沟道
1.2ohm
Rds(on)测试电压
4V
晶体管封装类型
SOT-353
针脚数
5引脚
耗散功率P沟道
280mW
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
400mA
连续漏极电流 Id N沟道
400mA
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
1.2ohm
阈值栅源电压最大值
1.2V
功耗 Pd
280mW
耗散功率N沟道
280mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002