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DMN55D0UTQ-7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-523, 表面安装
包装选项
已停产
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
160mA
晶体管封装类型
SOT-523
Rds(on)测试电压
4V
功率耗散
200mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
50V
漏源接通状态电阻
3.1ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
800mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001