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DMN6068SE
功率场效应管, MOSFET, 增强模式, N通道, 60 V, 5.6 A, 0.068 ohm, SOT-223, 表面安装
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN6068SE
库存编号2061415RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续5.6A
漏源接通状态电阻0.068ohm
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散16W
针脚数4引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
DMN6068SE 是一款N沟道增强型MOSFET, 模压塑料外壳, 可焊接, 镀雾锡退火铜引线端子, 符合MIL-STD-202标准。该器件设计最大限度地降低导通电阻, 同时具有卓越的开关性能, 适用于高效电源管理应用。
- 低导通电阻
- 100% Unclamped inductive switch (UIS) 生产测试
- 快速开关速度
- 无卤素, 绿色设备
- J-STD-020标准, 湿度灵敏度等级为1
- UL94V-0 阻燃等级
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
5.6A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
16W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.068ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001588