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DMN6140L-7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 1.6 A, 0.14 ohm, SOT-23, 表面安装
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN6140L-7
库存编号2543545RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续1.6A
漏源接通状态电阻0.14ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散700mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
DMN6140L-7是一款60V N沟道增强型MOSFET。新一代设计通过最小化导通电阻(RDS(ON))并保持卓越开关性能，使其成为高效率电源管理应用的理想选择。典型应用包括DC-DC转换器、电源管理功能及模拟开关。
- 低导通电阻，低输入电容
- 快速切换速度，低输入/输出泄漏
- 漏极至源极击穿电压最低为 60V（VGS = 0V，ID = 250µA，TA = +25°C）
- 在VDS=60V、VGS=0V、TA=+25°C条件下，零栅极电压漏极电流最大值为1μA
- 栅源漏电流在VGS=±20V、VDS=0V、TA=+25°C时最大为±100nA
- 静态漏极至源极导通电阻为 92mohm（典型值，VGS = 10V，ID = 1.8A，TA = +25°C）
- 二极管正向电压典型值为0.75V（VGS=0V时），电流IS=0.45A，温度TA=+25°C
- 反向恢复时间典型值为16.8ns（IF=1.8A，di/dt=100A/µs，TA=+25°C）
- SOT23外壳
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.6A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
700mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.14ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000363