打印页面
DMN61D8LVT-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.8 ohm
44 有货
需要更多？
44 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.190 (CNY5.8647) |
| 10+ | CNY3.550 (CNY4.0115) |
| 100+ | CNY2.430 (CNY2.7459) |
| 500+ | CNY1.880 (CNY2.1244) |
| 1000+ | CNY1.310 (CNY1.4803) |
| 5000+ | CNY1.290 (CNY1.4577) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY25.95 (CNY29.32 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN61D8LVT-7
库存编号3944127
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道630mA
连续漏极电流 Id P沟道630mA
漏源通态电阻N沟道1.8ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型TSOT-26
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.09W
耗散功率P沟道1.09W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
630mA
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.09W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
630mA
漏源通态电阻N沟道
1.8ohm
晶体管封装类型
TSOT-26
耗散功率N沟道
1.09W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001