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DMN65D8LDW-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 180 mA, 180 mA, 6 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN65D8LDW-7
库存编号2543547RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
电流, Id 连续180mA
在电阻RDS（上）-
连续漏极电流 Id N沟道180mA
连续漏极电流 Id P沟道180mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道6ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道6ohm
晶体管封装类型SOT-363
阈值栅源电压最大值2V
功耗 Pd300mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道300mW
耗散功率P沟道300mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
在电阻RDS（上）
-
连续漏极电流 Id P沟道
180mA
漏源通态电阻N沟道
6ohm
漏源导通电阻P沟道
6ohm
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
300mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
60V
电流, Id 连续
180mA
连续漏极电流 Id N沟道
180mA
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOT-363
功耗 Pd
300mW
耗散功率N沟道
300mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454