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产品概述
DMP2035U-7 是 P 沟道增强型 MOSFET。
- 低导通电阻、低输入电容、快速开关速度
- 低输入/输出漏电,ESD 保护
- 在TA = +25°C 时,漏极至源极电压为 -20V
- 在TA = +25°C 时,栅极至源极电压为 ±10V
- 在TA = +25°C、VGS = -4.5V、稳态时,漏极连续电流为 -4.9A
- 在 TA = +25°C 时,脉冲漏极电流为 -24A
- 在TA = +25°C 时,总功耗为 0.81W
- 在VGS = -4.5V、ID = -4.0A、TA = +25°C 时,静态漏极-源极导通电阻最大值为 35 mohm
- SOT23(标准)封装
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
3.6A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
810mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.035ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
700mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
DMP2035U-7 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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产品合规证书
重量(千克):.00185