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DMP2165UW-7
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-323, 表面安装
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| 100+ | CNY1.220 (CNY1.3786) |
| 500+ | CNY0.792 (CNY0.895) |
| 1500+ | CNY0.777 (CNY0.878) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMP2165UW-7
库存编号3405189
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续2.5A
漏源接通状态电阻0.09ohm
晶体管封装类型SOT-323
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散500mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
DMP2165UW-7 是一款 P 沟道增强型 MOSFET。这种 MOSFET 设计用于最大限度地减小导通电阻 (RDS(ON))，并保持出色的开关性能，是高效电源管理应用的理想之选。典型应用包括电机控制、电源管理功能和背光照明。
- 低导通电阻、低输入电容
- 开关速度快，输入/输出漏电低
- 在TA = +25°C 时，漏极至源极电压为 -20V
- 在TA = +25°C 时，栅极至源极电压为 ±12V
- 在TA = +25°C、稳态、VGS = -4.5V 时，连续漏极电流为 -2.5A
- 在TA = +25°C 时，脉冲漏极电流（10µs 脉冲，占空比 = 1%）为 -15A
- 在TA = +25°C 时，总功耗为 0.5W
- 在 VGS = -4.5V、ID = -1.5A 和 TA = +25°C 时，静态漏极-源极导通电阻最大为 90 mohm
- SOT323 外壳
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
2.5A
晶体管封装类型
SOT-323
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.09ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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产品合规证书
重量（千克）：.0002