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DMP3013SFV-7
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 12 A, 0.0095 ohm, PowerDI3333, 表面安装
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMP3013SFV-7
库存编号3405192RL
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续12A
漏源接通状态电阻0.0095ohm
晶体管封装类型PowerDI3333
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散940mW
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
DMP3013SFV-7 是一款 P 沟道增强型 MOSFET。这种 MOSFET 设计用于最大限度地减小导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，是高效电源管理应用的理想之选。典型应用包括背光、电源管理功能、DC-DC 转换器。
- 低 RDS(ON) - 确保将导通损耗降至最低
- 小尺寸热效率封装可实现更高密度的终端产品
- 在TA = +25°C 时，漏极至源极电压为 -30V
- 在TA = +25°C 时，栅极至源极电压为 ±25V
- 在TA = +25°C、VGS = -10V、稳态时，连续漏极电流为 -12A
- 在TA = +25°C 时，脉冲漏极电流（380µs 脉冲，占空比 = 1%）为 -80A
- 在TA = +25°C 时，总功率耗散为 0.94W
- VGS = -10V、ID = -11.5A、TA = +25°C 时，静态漏极-源极导通电阻最大为 9.5 mohm
- PowerDI3333-8 （UX 型）外壳
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
12A
晶体管封装类型
PowerDI3333
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
940mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.0095ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536