DMP510DL-7

DMP510DL-7 是一款 P 沟道增强型 MOSFET。这种 MOSFET 设计用于最大限度地减小导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，是高效电源管理应用的理想之选。典型应用包括通用接口开关、电源管理功能、模拟开关。

• 低导通电阻、低栅极阈值电压、低输入电容
• 开关速度快，输入/输出漏电低
• 在TA = +25°C 时，漏极至源极电压为 -50V
• 在TA = +25°C 时，栅极至源极电压为 ±30V
• 在TA = +25°C，稳态，VGS = -5V 时，连续漏极电流为 -180A
• 在TA = +25°C 时，脉冲漏极电流（10µs 脉冲，占空比 = 1%）为 -1.2A
• 在TA = +25°C 时，总功率耗散为 310mW
• 在VGS = -5V、ID = -0.1A、TA = +25°C 时，静态漏极-源极导通电阻最大为 10 ohm
• SOT23（标准）外壳
• 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C

警告

市场对该产品的需求导致交货期延长。交货日期可能会有波动。产品不享受折扣。