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DMP65H11D0HSS-13
功率场效应管, MOSFET, P通道, 600 V, 270 mA, 8.9 ohm, SOIC, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY15.200 (CNY17.176) |
| 10+ | CNY9.950 (CNY11.2435) |
| 100+ | CNY7.890 (CNY8.9157) |
| 500+ | CNY6.830 (CNY7.7179) |
| 1000+ | CNY6.000 (CNY6.780) |
| 5000+ | CNY4.890 (CNY5.5257) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMP65H11D0HSS-13
库存编号3828429
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续270mA
漏源接通状态电阻8.9ohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散1.9W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
270mA
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.9W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
8.9ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001