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DMT10H017LPD-13
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 V, 54.7 A, 54.7 A, 0.0137 ohm
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| 100+ | CNY7.850 (CNY8.8705) |
| 500+ | CNY7.610 (CNY8.5993) |
| 1000+ | CNY7.370 (CNY8.3281) |
| 5000+ | CNY7.170 (CNY8.1021) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMT10H017LPD-13
库存编号3944160
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压Vds P沟道100V
连续漏极电流 Id N沟道54.7A
连续漏极电流 Id P沟道54.7A
漏源通态电阻N沟道0.0137ohm
漏源导通电阻P沟道0.0137ohm
晶体管封装类型PowerDI5060
针脚数8引脚
耗散功率N沟道78W
耗散功率P沟道78W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id P沟道
54.7A
漏源导通电阻P沟道
0.0137ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
78W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压Vds N沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
54.7A
漏源通态电阻N沟道
0.0137ohm
晶体管封装类型
PowerDI5060
耗散功率N沟道
78W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001