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DMT35M4LFDF-7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 13 A, 0.0049 ohm, UDFN2020, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.250 (CNY3.6725) |
| 10+ | CNY2.600 (CNY2.938) |
| 100+ | CNY1.940 (CNY2.1922) |
| 500+ | CNY1.510 (CNY1.7063) |
| 1000+ | CNY1.270 (CNY1.4351) |
| 5000+ | CNY1.220 (CNY1.3786) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMT35M4LFDF-7
库存编号3405212
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续13A
漏源接通状态电阻0.0049ohm
晶体管封装类型UDFN2020
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散860mW
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
13A
晶体管封装类型
UDFN2020
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
860mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.0049ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
6引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002