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DMT4003SCT
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 205 A, 2400 µohm, TO-220AB, 通孔
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|---|---|
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| 100+ | CNY7.070 (CNY7.9891) |
| 500+ | CNY6.740 (CNY7.6162) |
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| 5000+ | CNY6.100 (CNY6.893) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMT4003SCT
库存编号3943863
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续205A
漏源接通状态电阻2400µohm
晶体管封装类型TO-220AB
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散156W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
205A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
156W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
2400µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001