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DMT47M2LDVQ-13
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 30.2 A, 30.2 A, 0.0084 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMT47M2LDVQ-13
库存编号3944164RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续30.2A
漏源电压Vds P沟道40V
在电阻RDS（上）0.0084ohm
连续漏极电流 Id N沟道30.2A
连续漏极电流 Id P沟道30.2A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0084ohm
漏源导通电阻P沟道0.0084ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.4V
晶体管封装类型PowerDI3333
针脚数8引脚
功耗 Pd14.8W
耗散功率N沟道14.8W
耗散功率P沟道14.8W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
40V
电流, Id 连续
30.2A
在电阻RDS（上）
0.0084ohm
连续漏极电流 Id P沟道
30.2A
漏源通态电阻N沟道
0.0084ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
PowerDI3333
功耗 Pd
14.8W
耗散功率P沟道
14.8W
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
40V
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
30.2A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.0084ohm
阈值栅源电压最大值
1.4V
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
14.8W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001