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DMT6015LPDW-13
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 17.1 A, 17.1 A, 0.0137 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMT6015LPDW-13
库存编号3589203RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续17.1A
漏源电压Vds P沟道60V
在电阻RDS（上）0.0137ohm
连续漏极电流 Id N沟道17.1A
连续漏极电流 Id P沟道17.1A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0137ohm
漏源导通电阻P沟道0.0137ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
晶体管封装类型PowerDI5060
功耗 Pd2.4W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.4W
耗散功率P沟道2.4W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
17.1A
在电阻RDS（上）
0.0137ohm
连续漏极电流 Id P沟道
17.1A
漏源通态电阻N沟道
0.0137ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
PowerDI5060
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.4W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
17.1A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.0137ohm
阈值栅源电压最大值
2.5V
功耗 Pd
2.4W
耗散功率N沟道
2.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85415000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002