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DMT6018LDR-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 8.8 A, 8.8 A, 0.013 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMT6018LDR-7
库存编号3518400RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
电流, Id 连续8.8A
连续漏极电流 Id N沟道8.8A
在电阻RDS（上）0.013ohm
连续漏极电流 Id P沟道8.8A
漏源通态电阻N沟道0.013ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.013ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型VDFN3030
阈值栅源电压最大值3V
功耗 Pd1.1W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.1W
耗散功率P沟道1.1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
8.8A
连续漏极电流 Id P沟道
8.8A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.1W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
60V
电流, Id 连续
8.8A
在电阻RDS（上）
0.013ohm
漏源通态电阻N沟道
0.013ohm
漏源导通电阻P沟道
0.013ohm
晶体管封装类型
VDFN3030
功耗 Pd
1.1W
耗散功率N沟道
1.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000127