打印页面
DMT69M9LPDW-13
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 44 A, 44 A, 0.0099 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMT69M9LPDW-13
库存编号3828444RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续44A
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道44A
在电阻RDS（上）0.0099ohm
连续漏极电流 Id P沟道44A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0099ohm
漏源导通电阻P沟道0.0099ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
晶体管封装类型PowerDI5060
功耗 Pd40.3W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道40.3W
耗散功率P沟道40.3W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
44A
连续漏极电流 Id N沟道
44A
连续漏极电流 Id P沟道
44A
漏源通态电阻N沟道
0.0099ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
PowerDI5060
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
40.3W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
在电阻RDS（上）
0.0099ohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.0099ohm
阈值栅源电压最大值
2V
功耗 Pd
40.3W
耗散功率N沟道
40.3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536