打印页面
DMTH6010LPD-13
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 47.6 A, 47.6 A, 0.0085 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMTH6010LPD-13
库存编号3518403RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续47.6A
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道47.6A
在电阻RDS（上）0.0085ohm
连续漏极电流 Id P沟道47.6A
漏源通态电阻N沟道0.0085ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.0085ohm
晶体管封装类型PowerDI5060
阈值栅源电压最大值3V
针脚数8引脚
功耗 Pd2.8W
耗散功率N沟道2.8W
耗散功率P沟道2.8W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
电流, Id 连续
47.6A
连续漏极电流 Id N沟道
47.6A
连续漏极电流 Id P沟道
47.6A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.0085ohm
阈值栅源电压最大值
3V
功耗 Pd
2.8W
耗散功率P沟道
2.8W
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
在电阻RDS（上）
0.0085ohm
漏源通态电阻N沟道
0.0085ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
PowerDI5060
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2.8W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000127