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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号FZT600
库存编号9526650
技术数据表
晶体管极性NPN
集电极发射电压, Vceo140V
功耗 Pd2W
集电极直流电流2A
射频晶体管封装SOT-223
针脚数3引脚
直流电流增益, hFE20000hFE
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The FZT600 is a 140V Silicon NPN Planar Medium Power Darlington Transistor with 2W power dissipation.
- Guaranteed hFE specified up to 1A
- Surface mount transistor
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
晶体管极性
NPN
功耗 Pd
2W
射频晶体管封装
SOT-223
直流电流增益, hFE
20000hFE
工作温度最高值
150°C
合规
-
集电极发射电压, Vceo
140V
集电极直流电流
2A
针脚数
3引脚
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000248