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FZT603TA
林顿晶体管, 达林顿, NPN, 140 V, 2 W, 2 A, SOT-223, 3 引脚
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号FZT603TA
库存编号1471162RL
技术数据表
晶体管极性NPN
集电极发射电压, Vceo140V
最大集电极发射电压140V
连续集电极电流2A
功耗 Pd2W
功率耗散2W
集电极直流电流2A
晶体管封装类型SOT-223
射频晶体管封装SOT-223
针脚数3引脚
直流电流增益, hFE15000hFE
晶体管安装表面安装
过渡频率150MHz
直流电流增益, Hfe 最小值15000hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The FZT603TA is a NPN silicon planar medium-power Darlington Transistor offers 2W power dissipation and 2A high continuous collector current.
- UL94V-0 Flammability rating
- Useful hFE up to 6A
- Halogen-free, Green device
- -55 to 150°C Operating temperature range
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
晶体管极性
NPN
最大集电极发射电压
140V
功耗 Pd
2W
集电极直流电流
2A
射频晶体管封装
SOT-223
直流电流增益, hFE
15000hFE
过渡频率
150MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
集电极发射电压, Vceo
140V
连续集电极电流
2A
功率耗散
2W
晶体管封装类型
SOT-223
针脚数
3引脚
晶体管安装
表面安装
直流电流增益, Hfe 最小值
15000hFE
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002268