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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号FZT853
库存编号9526331RL
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压100V
连续集电极电流6A
功率耗散3W
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
针脚数4引脚
过渡频率130MHz
直流电流增益, Hfe 最小值100hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
FZT853 is a 100V NPN silicon planar high current (high performance) transistor in a 4-pin SOT223 package.
- Extremely low equivalent on-resistance RCE(sat) 44mohm at 5A
- 6A continuous current, up to 10A peak current
- Very low saturation voltages
- Excellent hFE characteristics specified up to 10A
- 3W power dissipation
- Operating temperature range from -55 to +150°C
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
6A
晶体管封装类型
SOT-223
针脚数
4引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
100hFE
产品范围
-
MSL
-
最大集电极发射电压
100V
功率耗散
3W
晶体管安装
表面安装
过渡频率
130MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.00012