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ZTX618
单晶体管 双极, NPN, 20 V, 3.5 A, 1 W, E-Line, 通孔
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY8.970 (CNY10.1361) |
| 10+ | CNY5.600 (CNY6.328) |
| 100+ | CNY3.710 (CNY4.1923) |
| 500+ | CNY2.880 (CNY3.2544) |
| 1000+ | CNY2.620 (CNY2.9606) |
| 5000+ | CNY2.350 (CNY2.6555) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZTX618
库存编号9526528
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压20V
连续集电极电流3.5A
功率耗散1W
晶体管封装类型E-Line
晶体管安装通孔
针脚数3引脚
过渡频率140MHz
直流电流增益, Hfe 最小值450hFE
工作温度最高值200°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The ZTX618 is a 20V E-Line Silicon NPN Planar Medium Power High Gain Transistor featuring high gain and low saturation voltages. Power MOSFET gate driver in conjunction with complementary ZTX718.
- Excellent hFE characteristics up to10A (pulsed)
- Extremely low saturation voltage
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
3.5A
晶体管封装类型
E-Line
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
450hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
最大集电极发射电压
20V
功率耗散
1W
晶体管安装
通孔
过渡频率
140MHz
工作温度最高值
200°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000163