ZXM61N03F

ZXM61N03F 是一款 N 沟道增强型 MOSFET。它采用独特的结构，兼具低导通电阻和快速开关速度的优点。这使其成为高效率、低电压、电源管理应用的理想之选。典型应用包括直流-直流转换器、电源管理功能、隔离开关和电机控制。

• 低导通电阻、快速开关速度
• 低栅极驱动，低阈值
• 漏极-源极电压为 30V
• 栅极-源极电压为 ±20V
• 在 TA=+25°C 和 VGS=10V 时，漏极连续电流为 1.4A
• 在 ID=-250µA、VGS=0V、TA=25°C 时，漏极-源极击穿电压最低为 30V
• 在 ID=-250µA、VDS= VGS、TA=25°C 时，栅极-源极阈值电压最小为 1V
• 在VGS=10V，ID=0.91A，TA = 25°C 时，静态漏极-源极导通电阻最大为 0.22 om
• SOT23封装
• 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C