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ZXMC3AMCTA
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZXMC3AMCTA
库存编号3944176RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续2.9A
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道2.9A
在电阻RDS（上）0.1ohm
连续漏极电流 Id P沟道2.9A
漏源通态电阻N沟道0.1ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.1ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
晶体管封装类型DFN3020B
功耗 Pd2.45W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.45W
耗散功率P沟道2.45W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
2.9A
连续漏极电流 Id N沟道
2.9A
连续漏极电流 Id P沟道
2.9A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
DFN3020B
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.45W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.1ohm
漏源通态电阻N沟道
0.1ohm
漏源导通电阻P沟道
0.1ohm
阈值栅源电压最大值
3V
功耗 Pd
2.45W
耗散功率N沟道
2.45W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001