打印页面
ZXMC6A09DN8TA
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 60 V, 60 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.045 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZXMC6A09DN8TA
库存编号3944179RL
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
晶体管极性互补N与P沟道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续5.1A
漏源电压Vds P沟道60V
在电阻RDS（上）0.045ohm
连续漏极电流 Id N沟道5.1A
连续漏极电流 Id P沟道5.1A
漏源通态电阻N沟道0.045ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.045ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值1V
功耗 Pd2.1W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.1W
耗散功率P沟道2.1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
5.1A
在电阻RDS（上）
0.045ohm
连续漏极电流 Id P沟道
5.1A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.1W
产品范围
-
汽车质量标准
-
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
5.1A
漏源通态电阻N沟道
0.045ohm
漏源导通电阻P沟道
0.045ohm
晶体管封装类型
SOIC
功耗 Pd
2.1W
耗散功率N沟道
2.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001