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ZXMHC10A07N8TC
双路场效应管, MOSFET, 补充双N和双P沟道, 100 V, 100 V, 800 mA, 800 mA, 0.7 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY13.000 (CNY14.690) |
| 10+ | CNY8.670 (CNY9.7971) |
| 100+ | CNY5.810 (CNY6.5653) |
| 500+ | CNY4.590 (CNY5.1867) |
| 1000+ | CNY4.500 (CNY5.085) |
| 5000+ | CNY4.410 (CNY4.9833) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZXMHC10A07N8TC
库存编号3944181
技术数据表
通道类型补充双N和双P沟道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压Vds P沟道100V
连续漏极电流 Id N沟道800mA
连续漏极电流 Id P沟道800mA
漏源通态电阻N沟道0.7ohm
漏源导通电阻P沟道1ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道870mW
耗散功率P沟道870mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
补充双N和双P沟道
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id P沟道
800mA
漏源导通电阻P沟道
1ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
870mW
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压Vds N沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
800mA
漏源通态电阻N沟道
0.7ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
870mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001