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ZXMHC3F381N8TC
双路场效应管, MOSFET, 半桥接, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 3.98 A, 3.98 A, 0.033 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZXMHC3F381N8TC
库存编号2061507RL
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
晶体管极性互补N与P沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续3.98A
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道3.98A
在电阻RDS（上）0.033ohm
连续漏极电流 Id P沟道3.98A
漏源通态电阻N沟道0.033ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.033ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1V
晶体管封装类型SOIC
功耗 Pd870mW
针脚数8引脚
耗散功率N沟道870mW
耗散功率P沟道870mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The ZXMHC3F381N8TC is a N/P-channel complementary enhancement-mode MOSFET H-Bridge offers low ON-resistance achievable with low gate drive. It is ideal for DC to AC inverter applications.
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
3.98A
连续漏极电流 Id N沟道
3.98A
连续漏极电流 Id P沟道
3.98A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
870mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.033ohm
漏源通态电阻N沟道
0.033ohm
漏源导通电阻P沟道
0.033ohm
阈值栅源电压最大值
1V
功耗 Pd
870mW
耗散功率N沟道
870mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000302