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ZXMN10A11G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 1.8 A, 0.35 ohm, SOT-223, 表面安装
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| 100+ | CNY3.470 (CNY3.9211) |
| 500+ | CNY2.740 (CNY3.0962) |
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| 5000+ | CNY2.370 (CNY2.6781) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZXMN10A11G
库存编号9525726
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续1.8A
漏源接通状态电阻0.35ohm
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散3.9W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The ZXMN10A11G is a N-channel enhancement-mode MOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin-finish annealed over copper lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard. It is designed to minimize the ON-state resistance RDS (ON) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
- Low ON-resistance
- Fast switching speed
- Low gate drive
- Low input capacitance
- Halogen-free, Green device
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
- Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
- UL94V-0 Flammability rating
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.8A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
3.9W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.35ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00012