ZXMP4A16GTA

ZXMP4A16GTA 是一款 P 沟道增强型 MOSFET。这种新一代 MOSFET 设计用于最大限度地减小导通电阻 (RDS(on))，同时保持出色的开关性能，是高效电源管理应用的理想之选。典型应用包括 DC-DC 转换器、电源管理功能和背光。

• 低输入电容、低导通电阻
• 快速开关速度
• 在TA = +25°C 时，漏极至源极电压为 -40V
• 在TA=+25°C 时，栅源电压为 ±20V
• 在 TA=+25°C、VGS=-10V、稳态时，漏极连续电流为 -6.4A
• 在 TA = +25°C 时，脉冲漏极电流为 -21A
• 在 VGS=-10V, ID=-3.8A, TA=+25°C 时，静态漏极-源极导通电阻最大值为 60 mohm
• 在 VDS = VGS、ID = -250µA、TA = +25°C 时，栅极阈值电压最小为 -1.0V
• SOT223（DN 型）封装
• 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C