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ZXMP6A16DN8TA
双路场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZXMP6A16DN8TA
库存编号3944191RL
技术数据表
通道类型P通道
晶体管极性P沟道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds P沟道60V
电流, Id 连续2.9A
连续漏极电流 Id N沟道2.9A
在电阻RDS（上）0.085ohm
连续漏极电流 Id P沟道2.9A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道-
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.085ohm
阈值栅源电压最大值1V
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
功耗 Pd2.15W
耗散功率N沟道2.15W
耗散功率P沟道2.15W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
2.9A
连续漏极电流 Id P沟道
2.9A
漏源通态电阻N沟道
-
漏源导通电阻P沟道
0.085ohm
晶体管封装类型
SOIC
功耗 Pd
2.15W
耗散功率P沟道
2.15W
产品范围
-
汽车质量标准
-
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
2.9A
在电阻RDS（上）
0.085ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2.15W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001