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ZXMS6005DN8Q-13
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 0.15 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZXMS6005DN8Q-13
库存编号3944193RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续1.8A
漏源电压Vds P沟道60V
在电阻RDS（上）0.15ohm
连续漏极电流 Id N沟道1.8A
连续漏极电流 Id P沟道1.8A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.15ohm
Rds(on)测试电压5V
漏源导通电阻P沟道0.15ohm
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值1V
针脚数8引脚
功耗 Pd1.56W
耗散功率N沟道1.56W
耗散功率P沟道1.56W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
1.8A
在电阻RDS（上）
0.15ohm
连续漏极电流 Id P沟道
1.8A
漏源通态电阻N沟道
0.15ohm
漏源导通电阻P沟道
0.15ohm
阈值栅源电压最大值
1V
功耗 Pd
1.56W
耗散功率P沟道
1.56W
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
1.8A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
5V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
1.56W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000163